适于功能性膜层沉积的共溅射设备 应用于传感器、微电子和光电子领域
设备介绍
The FHR.Star.150-Co是特别设计高度集成的枚叶式设备，用于200 mm (8 英寸)晶片类基材的工艺处 理，更小的基片可被放在相同尺寸的托盘上进行工艺。设备构造包含一个带盒式载片器的进样 室、一个传输腔室和两个工艺腔室。 每个工艺腔室最多可装配三个溅射源，以共焦几何模式排列。溅射源装有直径150 mm的平面磁极 和气动控制的挡板，可依次溅射或共溅射。所有溅射源可在线调整其轴向位置并可在非在线时调 整其水平位置。因此，在不破真空的条件下，可实现不同高度基材在不同靶基距下的镀膜工艺。 一个工艺腔室用于高真空工艺，比如，载片台最高可加热至400°C。另一个工艺腔室被设计用于低 温工艺，比如，载片台通过液体H2O和氩气 混合冷却。 通过提升系统提升/下降盒式载片器，经机械臂将基片和托盘送至/送出工艺腔室。 运用编程工艺流可实现基片的自动顺序处理工艺。
工艺范围
- 高温腔室：反应磁控溅射(1 x DC, 1 x RF, 1 x DC 可选)
- 低温腔室：反应磁控溅射(1 x DC, 1 x RF, 1 x DC 可选)
- 沉积至旋转载片台(1 x 冷却，1 x 加热)，可应用直流偏压
客户优势
- 通过高度集成化的设计有效利用占面面积
- 通过在线式轴向调整和非在线式水平调整溅射源位置，实现靶基距可调
- 全自动工艺控制
- 设备维护迅速简易
关键指标
特殊指标 
- 旋转载片台
- 靶基距可调
- 全自动工艺控制
- CE 认证
- 德国制造
可选项目
- 反溅射刻蚀预处理
- MF 溅射(单极性脉冲)
- 多功能 RF 射频溅射(包括今后可通过安装 匹配箱升级 DC 直流电源)
- 根据客户需求定制盒式进样室系统
典型应用
- MEMS和传感器领域多层膜
- 微电子和光电子领域功能膜
